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降低功耗，實現供電系統的小型化

A、小電機減速機結型場效應晶體管（JFET）摻雜技術既降低了1200V SiC-MOSFET的開關損耗和導通電阻，還讓其達到行業(yè)領先的品質因數（FOM）——1,450mΩ·nC。與采用傳統的硅絕緣柵門極晶體管（Si-IGBT）相比，用于供電系統的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了約85%。

B、小電機減速機通過降低鏡面電容（在MOSFET結構中，柵極和漏極之間存在的雜散電容），與競爭對手的產品相比，1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此，可實現快速的開關操作，降低開關損耗。

C、由于小電機減速機降低了開關功率損耗，通過驅動具有更高載頻的功率半導體，得以實現冷卻系統及周邊部件（如反應器）的小型化和簡單化，從而有助于降低整個供電系統的成本的尺寸。

小電機減速機有六款1200V SiC-MOSFET，包括符合AEC-Q101規(guī)格的型號，適用于各種應用

A、 N系列1200V SiC-MOSFET產品包括符合美國汽車電子委員會AEC-Q101規(guī)格的型號，因此，該產品不僅適用于光伏系統等工業(yè)應用，也可用于電動汽車車載充電器。